摘要: 一、重离子辐照损伤的径迹 自从微电子学问世以来，人们一直进行着持续不断的努力使之朝更小的方向发展。1979年光刻技术达到了光波所设置的极限。于是开始尝试使用其它射线，人们首先想到的是X射线。软X射线比电子来得优越因为它可以不经散射直接进入对X射线灵敏的底片，给出所要复制的积分线路掩膜完美的、轮廓清晰的投影。受以上思路的启发，用重离子对云母进行了照射，照射后再把云母放在一定的腐蚀剂中进行腐蚀，辐照后所形成的潜在径迹放在40%浓度的氢氟酸中腐蚀20分钟，然后沿径迹方向剖开放在扫描显微镜底下观看就是图1的那种图像，此种径迹的特点是径迹本身的直径只有0.2微米，但是径迹非常的直，长度约为50微米。……