摘要: 几乎在集成电路起步发展的同时，在1950 年，巴丁（John Bardeen）和肖克利（W.Shockley）预言了单晶半导体在外力作用下形变，并会有相当大的电导变化。1954 年，来自美国凯斯西储大学（Case WesternReserve University）的史密斯（C.S. Smith）到贝尔实验室进行访问工作，报道了“掺杂硅和锗中，在剪切应力作用下具有相当大的压阻剪切系数”，由此，标志着在微尺度上硅的传感性能研究的开始，如应变计、压力传感器、加速度计、力/位移传感器等。