摘要: 今年初,北京有色金属研究总院采用熔融织构生长法(MTG)成功制备出高临界电流密度的钇钡铜氧化合物超导体.经过中科院物理所连续四次复测,临界电流密度达到每平方厘米23800安培(77K,2特斯拉)。这样高电流密度的高温超导体至今未见国际上有报道.该测试采用直流持续电流四引线法进行,失超判据为每厘米1微伏,磁场方向垂直于测试电流方向.当外磁场增加到7特斯拉时,临界电流密度仍能达到每平方厘米8600安培.