高级检索
首页
关于本刊
期刊简介
编委会
期刊在线
最新录用
当期目录
过刊浏览
浏览排行
下载排行
引用排行
高级检索
专刊专题
征稿简则
期刊订阅
广告服务
联系我们
English
旧网站
所有
标题
作者
关键词
摘要
DOI
栏目
年
地址
基金
中图分类号
首页
关于本刊
期刊简介
编委会
期刊在线
最新录用
当期目录
过刊浏览
浏览排行
下载排行
引用排行
高级检索
专刊专题
征稿简则
期刊订阅
广告服务
联系我们
English
旧网站
非晶半导体薄膜与大面积电子学
陈坤基
摘要
HTML全文
图
(0)
表
(0)
参考文献
(0)
相关文章
施引文献
资源附件
(0)
摘要
摘要:
经过近20年的发展,非晶半导体的研究——特别是氢化非晶硅(α-Si:H)——已成为当前凝聚态物理和固态电子学中最活跃的领域之一.这类新型的电子材料之所以能引起人们的极大兴趣和高度重视,是因为这类材料具有广阔的应用前景,而它的性质却还未得到理论上的解释;薄膜制备技术还需进一步改进、完善,器件的重要用途尚在研究与探索之中.当今大家所熟悉的晶体管、集成电路以及由其作为有源元件制备的收音机、电视机、计算机等都是以晶态半导硅(C-Si)和砷化镓(C-GaAs)等材料制成.
HTML全文
参考文献
(0)
相关文章
施引文献
资源附件
(0)
/
下载:
全尺寸图片
幻灯片
返回文章
分享
用微信扫码二维码
分享至好友和朋友圈
返回
×
Close
导出文件
文件类别
RIS(可直接使用Endnote编辑器进行编辑)
Bib(可直接使用Latex编辑器进行编辑)
Txt
EndNote
引用内容
引文——仅导出文章的Citation信息
引文和摘要——导出文章的Citation信息和文章摘要信息
×
Close
引用参考文献格式