摘要: 现代科学技术的发展、自动化程度的提高、计算机应用的普及,需要越来越多的高速大规模、超大规模集成电路.金属/氧化物/半导体场效应晶体管(MOSFET) 由于其工艺简单、产额高、功耗低、抗干扰能力强、输入阻抗高、易于大规模集成,在大规模集成电路领域内很受人们青睐.尤其是互补型金属/氧化物/半导体场效应晶体管(CMOS)电路,可在单电流下工作,且工作电压范围广、噪声容限大、集成度高.几乎有取代双极型晶体管集成电路的趋势.然而,CMOS电路的速度因受ρ沟MOS中空穴迁移率的限制,不如双极型器件的快,使它的应用受到一定的限制.如能提高它的工作速度,则可使MOS电路具有更强的生命力.